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Diode redresseuse

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Diode redresseuse

H150ZPU, Diode redresseuse

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H150ZPU, Diode redresseuse

H150ZPU, Diode redresseuse

H150ZPU, Diode redresseuse

Numéro de pièce H150ZPU-ZT140dT

Brand:

TECHSEM

Spu:

H150ZPU-ZT140dT

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Introduction
Le schéma

Introduction

Je _T(AV)

6500A

V. Le groupe _RRM

8100V 8300V

8500V

Caractéristiques

Faible chute de tension avant
Haute tension inverse
Boîtiers métalliques hermétiques avec isolateurs en céramique

Applications Typiques

Diodes redresseuses haute puissance polyvalentes
Équipement de soudage par résistance haute puissance
Redresseurs non contrôlables et semi-contrôlables
Redresseurs contrôlés

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	Min	Type	Max	Unité
IF(AV)	Courant direct moyen	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,	TC= 100 ℃	150			6500	A
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms		150	8000		8500	V. Le groupe
RSI	Courant de crête répétitif	À V _RRM		150			500	le nombre de
MFI	Courant de surtension avant	onde sinusoïdale demi période de 10ms VR =0.6V _RRM		150			100	kA
Le nombre de t	I2t pour coordination de fusion	onde sinusoïdale demi période de 10ms VR =0.6V _RRM		150			50000	10³A ²s
VFO	Voltage de seuil			150			0.800	V. Le groupe
rF	Résistance de pente directe			150			0.125	mΩ
VFM	Tension directe de crête	IFM=5000A, F= 140kN		25			1.50	V. Le groupe
Je suis désolé.	Frais de recouvrement	Les capacités de charge sont calculées en fonction des niveaux de tension du système.				14000		le taux de décharge
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 24kN					0.0028	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur						0.0006	℃ /W
FM	Force de montage				165		190	kN
Tvj	Température de jonction				-40		150	℃
TSTG	Température de stockage				-40		160	℃
Wt	Poids					4000		g
Le schéma	ZT140dT

Le schéma

H150ZPU-2(1).png

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