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Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule

Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule

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MZ100, Schnelle Wiederherstellungsdiode Modul, TECHSEM

2800V~3000V,417F2

Brand:
TECHSEM
Spu:
MZ100
Appurtenance:

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  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZ 100,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.

VRRM

Typ & Umriss

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Merkmale

  • Nin-getrennt.Montagebasis als
  • gemeinsame Anodenkathoden-Terminal.
  • Druckkontakttechnologie mit Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • Wechselrichter
  • Induktionsheizung
  • Chopper

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt,TC= 100

140

100

A

IF (RMS)

RMS-Vorwärtsstrom

157

A

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

140

30

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

61

A 2s* 10 3

VFO

Schwellenspannung

140

1.05

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

1.80

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.200

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.080

/W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

140

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

Wt

Gewicht

185

g

Gliederung

210F2

Gliederung

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